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参数目录42517
> SUM90N10-8M2P-E3 MOSFET N-CH D-S 100V D2PAK
型号:
SUM90N10-8M2P-E3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH D-S 100V D2PAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SUM90N10-8M2P-E3 PDF
标准包装
1
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
90A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
8.2 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
150nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
6290pF @ 50V
功率 - 最大
3.75W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
TO-263(D2Pak)
包装
剪切带 (CT)
其它名称
SUM90N10-8M2P-E3CT
查看SUM90N10-8M2P-E3代理商
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